DDR3在大容量內(nèi)存的支持較好，而大容量內(nèi)存的分水嶺是4GB這個(gè)容量，4GB是32位操作系統(tǒng)的執(zhí)行上限（不考慮PAE等等的內(nèi)存映像模式，因這些32位元元延伸模式只是過渡方式，會(huì)降低效能，不會(huì)在零售市場成為技術(shù)主流）當(dāng)市場需求超過4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。DDR3 UB DIMM 2007進(jìn)入市場，成為主流時(shí)間點(diǎn)多數(shù)廠商預(yù)計(jì)會(huì)是到2010年。DDR3內(nèi)存相對(duì)于DDR2內(nèi)存，其實(shí)只是規(guī)格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3接觸針腳數(shù)目同DDR2皆為240pin。但是防呆的缺口位置不同。

    一、與DDR2相比DDR3具有的優(yōu)點(diǎn)（桌上型unbuffered DIMM）： 

    1.速度更快：prefetch buffer寬度從4bit提升到8bit，核心同頻率下數(shù)據(jù)傳輸量將會(huì)是DDR2的兩倍。
　　　　
    2.更省電：DDR3 Module電壓從DDR2的1.8V降低到1.5V，同頻率下比DDR2更省電，搭配SRT（Self-Refresh Temperature）功能，內(nèi)部增加溫度senser，可依溫度動(dòng)態(tài)控制更新率（RASR，Partial Array Self-Refresh功能），達(dá)到省電目的。
　　　　
    3.容量更大：更多的Bank數(shù)量，依照J(rèn)EDEC標(biāo)準(zhǔn)，DDR2應(yīng)可出到單位元元4Gb的容量（亦即單條模塊可到8GB），但目前許多DRAM 廠商的規(guī)劃，DDR2生產(chǎn)可能會(huì)跳過這個(gè)4Gb單位元元容量，也就是說屆時(shí)單條DDR2的DRAM模塊，容量最大可能只會(huì)到4GB。而DDR3模塊容量將從1GB起跳，目前規(guī)劃單條模塊到16GB也沒問題（注意：這里指的是零售組裝市場專用的unbuffered DIMM而言，server用的FB與Registered不在此限）。

    二、DDR2與DDR3內(nèi)存的特性區(qū)別：

    1、邏輯Bank數(shù)量
　　　　
    DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì)，目的就是為了應(yīng)對(duì)未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個(gè)，另外還為未來的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。
　　　　
    2、封裝（Packages）
　　　　
    由于DDR3新增了一些功能，在引腳方面會(huì)有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質(zhì)。
　　　　
    3、突發(fā)長度（BL，Burst Length）

    由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（BL，Burst Length）也固定為8，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)4-bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個(gè)BL=4的讀取操作加上一個(gè)BL=4的寫入操作來合成一個(gè)BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時(shí)可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。
　　　　
    4、尋址時(shí)序（Timing）

    就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而 DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時(shí)AL的范圍是0至4，而DDR3時(shí)AL有三種選項(xiàng)，分別是0、CL-1和CL -2。另外，DDR3還新增加了一個(gè)時(shí)序參數(shù)——寫入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。